高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS

• 作者: 夏天 姚佳飞 李曼 王子轩 胡善文 郭宇锋
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阶梯变宽度 高k介质 击穿电压 导通电阻 绝缘体上硅
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1781-1786
• 页数: 6页
• 分类号: TN31
• 字数: 2335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.07.035

摘要

本文提出了一种具有高k介质阶梯变宽度结构的新型的SOI LDMOS器件,该器件通过在漂移区内引入介质区域使得漂移区的宽度呈阶梯变化.借助三维器件仿真软件DAVINCI对其势场分布及耐压特性进行了深入分析.首先,阶梯变宽度结构能够在漂移区内引入新的电场峰值来优化势场分布,提高击穿电压.其次,采用高k材料作为侧壁介质区域可以进一步优化漂移区内势场分布,并提高漂移区浓度来降低导通电阻.结果表明,与常规结构相比,新器件的击穿电压可提高42％,导通电阻可降低37.5％,其FOM优值是常规器件的3.2倍.