玻璃基RDL传输线的特征阻抗与损耗研究

• 作者: 任玉龙 吴海鸿 孙鹏 徐健
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 玻璃基板 传输线 特征阻抗 TDR 插入损耗
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2625字
• 语种: 中文

摘要

玻璃基转接板由于具有优越的电学性能,是未来高速与高密度封装的关键技术之一.利用实测与仿真的方法,研究了玻璃基上RDL(redistribution layer)传输线尺寸的改变对其特征阻抗的影响情况,为设计具有阻抗管控的玻璃基RDL传输线提供了参考,并对玻璃基和硅基RDL传输线的高频损耗进行了测试.结果显示,在40 GHz时,玻璃基RDL传输线的插入损耗约为-0.2 dB/mm,远高于硅基RDL传输线,因而更适合应用于高频高速产品中.实测与仿真的结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐健		3	3	1.0	1.0
2	孙鹏		3	3	1.0	1.0
3	吴海鸿		1	1	1.0	1.0
4	任玉龙		1	1	1.0	1.0