基于表面能理论的倒装芯片封装下填充流动研究

• 作者: 姚兴军 方俊杰 杨家辉 章文俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 倒装芯片 下填充 表面能 能量守恒 封装
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.011

摘要

为了预测倒装芯片封装中的下填充过程,通常要首先通过繁复的方法来求解平均毛细压.为了避免此问题,从能量的角度分析了倒装芯片封装工艺中的下填充流动过程.认为下填充是较低表面能的界面代替较高表面能的界面的过程,所释放的表面能用于形成流体流动的动能和克服阻力的能量损耗,期间能量守恒.在此分析的基础上建立了下填充流动的新模型.建立了可视化的下填充流动实验装置,并用下填充实验验证了所建立新模型的准确性.该模型避免了计算平均毛细压的复杂过程,并可方便地扩展到焊球排布形式不同的倒装芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚兴军	华东理工大学机械与动力工程学院	16	96	6.0	9.0
2	方俊杰	华东理工大学机械与动力工程学院	3	1	1.0	1.0
3	杨家辉	华东理工大学机械与动力工程学院	3	1	1.0	1.0