溅射功率对硫化镉薄膜结构和光电性能的影响

• 作者: 周铉池 夏锦辉 常晨 张翠媛 李俊魁 杨恢东 温俊文 王菁 谢泳伦
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫化镉薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 光电性能
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 1747-1751
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.09.001

摘要

在玻璃衬底上采用射频磁控溅射方法制备了硫化镉(CdS)薄膜,研究了溅射功率对CdS薄膜的结构、表面形貌、光学特性和电学性质的影响.XRD测量表明制备的CdS薄膜均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜.随着功率从40 W增加到80 W,H(102)面的峰呈现增强再逐渐减弱的趋势.60 W时薄膜的衍射峰最强,结晶度最好.同时,薄膜的晶粒尺寸随着功率增加先增大再减小.从SEM图像可以看出,制备的薄膜均匀致密且无针孔的出现.在可见光范围内,薄膜的平均透射率都在70％以上.随着功率的增加,薄膜带隙在2.25～2.41 eV的范围内变化,而暗电导率呈现先增加再减少的趋势.