SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备

• 作者: 李志强 李鑫 杨娇燕 梁庭 熊继军 王文涛 赵丹 雷程
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅(SOI) 压力传感器 压敏电阻 引线键合 有限元分析
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 408-414
• 页数: 7页
• 分类号: TP212|TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.06.005

摘要

设计并制备了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料、量程为5 Pa～1.8 MPa的压阻式压力传感器.在设计方面,通过有限元分析软件和经典理论相结合分析敏感膜片的力学性能和电学性能,得到敏感膜片的尺寸和表面电势的分布;在工艺方面,设计了基于标准微电子机械系统(MEMS)工艺的制作流程;在芯片的封装方面,为保证敏感芯片与外界的电气互连,采用了引线键合工艺,同时装配温度补偿电路和信号调理电路降低了传感器的温漂,保证传感器的输出.制备后的压力传感器在温度压力复合平台进行标定和温度测试,结果显示传感器在设计量程范围内具有较好的精度并且可在-50～205℃内稳定工作.