SiO2钝化提高CdSe/ZnS量子点的发光稳定性

• 作者: 刘国旭 刘宏伟 宁平凡 李晓云 牛萍娟 韩丽丽 高轶群
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 量子点 CdSe/ZnS 发光稳定性 SiO2钝化
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 109-114
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0109

摘要

光诱导功能退化是胶体量子点在应用中面临的主要挑战之一,本文针对这一问题研究了使用磁控溅射沉积SiO2薄膜形成钝化层来提高CdSe/ZnS量子点发光稳定性的方法.首先,通过三正辛基膦辅助连续离子层吸附反应方法合成了 615 nm发光的红色CdSe/ZnS量子点.然后将量子点旋涂在SiO2/Si基片上,再通过磁控溅射方法在量子点上沉积了厚度为20 nm的SiO2薄膜作为钝化层.使用连续波激光光源分别在空气气氛和真空条件下照射样品,研究了经过不同照射时间后钝化和未钝化量子点的稳态光致发光光谱.结果表明,随着照射时间的延长,没有SiO2钝化的量子点的PL强度显著降低、PL峰值发生蓝移、FWHM不断增大.对比研究发现,由于SiO2薄膜能够阻挡空气中的水和氧,减缓了量子点表面的光诱导氧化现象,因此显著提高了CdSe/ZnS量子点的稳定性.