GaN基半导体技术的空间应用研究与展望

• 作者: 万成安 唐林江 张宝林 陈滔
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 空间太阳能电站 宽禁带半导体 GaNHEMT InGaN
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 60-67
• 页数: 8页
• 分类号: V474
• 字数: 8016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2018.02.010

摘要

空间太阳能电站需要高效率、良好环境适应性和长寿命的新型光电转换材料和大功率半导体器件.从功率器件和太阳能电池两个方面,概述了宽禁带半导体在太阳能技术中的应用和研发动态.采用宽禁带半导体设计的GaN高效固态功放和禁带宽度从0.7 eV(InN)～3.4 eV(GaN)连续可调的InGaN直接带隙的太阳能电池具有可靠性高、效率高、体积小、质量轻、高抗辐射能力等优点.因此,随着GaN基宽禁带半导体材料及器件的进一步发展,可助推空间太阳能电站早日实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈滔		5	9	2.0	2.0
2	万成安		22	83	5.0	8.0
3	唐林江		4	7	2.0	2.0
4	张宝林		3	6	2.0	2.0