表面SiO2改性高选择性MOS氢气传感器

• 作者: 何泽 张覃轶 薛妞子
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 气体传感器 SiO2改性层 氢气 选择性
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 1005-1011
• 页数: 7页
• 分类号: TP212.6
• 字数: 3342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2018.07.005

摘要

以十甲基环五硅氧烷(D5)为硅源,采用化学气相沉积法(CVD)在SnO2气体传感器表面沉积SiO2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响.通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500℃下CVD处理8 h后的SnO2传感器对氢气具有最好的选择性和灵敏性.同时讨论了SiO2改性层提高SnO2传感器选择性和灵敏性的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张覃轶	武汉理工大学材料科学与工程学院	36	342	9.0	17.0
2	薛妞子	武汉理工大学材料科学与工程学院	3	5	1.0	2.0
3	何泽	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0