旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用

• 作者: 周尚雄 姚日晖 宁洪龙 彭俊彪 徐海涛 朱镇南 蔡炜 钟云肖 魏靖林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锆薄膜 溶液法 旋涂转速 退火温度
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 214-219
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 3435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0214

摘要

采用旋涂法制备了氧化锆介质层薄膜,重点讨论了退火温度以及旋涂转速对薄膜性能的影响及作用机制.研究发现高温后退火一方面使得氧化锆水合物脱水形成氧化锆,另一方面促使氧化锆薄膜结晶.此外,转速较高时,其变化对薄膜厚度及粗糙度无显著影响.当转速为5 000 r/min、退火温度为300℃时,制备的绝缘层厚度具有良好的厚度均匀性,粗糙度为0.7 nm,漏电流为3.13×10-5 A/cm2(电场强度1 MV/cm).最终,利用ZrO,薄膜作为栅极绝缘层,在玻璃基板上制备了铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO-TFT),其迁移率为6.5 cm2/(V·s),开关比为2×104.