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漏电流的伏安特征曲线在分立器件失效分析中的应用
漏电流的伏安特征曲线在分立器件失效分析中的应用
作者:
王友彬
陈松
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
特征曲线
失效分析
缺陷
摘要:
针对半导体分立器件漏电流失效在后道封装工厂难以确定失效模式和失效机理的问题,引入漏电流的伏安特征曲线分析的方法,针对各种漏电流失效模式进行实验分析,利用漏电流特征曲线的方法将有可靠性风险的器件筛选出来.通过此方法在后道封装测试工厂大规模推广应用,大大提高了失效分析的效率和准确性,提升了产品质量,节约了成本,很好地达到了客户对产品质量和成本的期望.
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文献信息
篇名
漏电流的伏安特征曲线在分立器件失效分析中的应用
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
特征曲线
失效分析
缺陷
年,卷(期)
2018,(11)
所属期刊栏目
微电子制造与可靠性
研究方向
页码范围
44-47
页数
4页
分类号
TN306
字数
2301字
语种
中文
DOI
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单位
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缺陷
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
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