4H-SiC晶体中的层错研究

• 作者: 刘春俊 彭同华 王波 赵宁
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 基平面位错 堆垛层错 氮掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 540-544
• 页数: 5页
• 分类号: TN34
• 字数: 2812字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20170300

摘要

采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏<11ˉ20>方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体.用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体, 并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层错缺陷的形貌特征和生长过程中氮掺杂对4H-SiC晶体中堆垛层错缺陷的影响.结果显示, 4H-SiC晶片表面的基平面位错缺陷的连线对应于晶体中的堆垛层错, 并且该连线的方向平行于<1ˉ100>方向.相对于非故意氮掺杂生长的4H-SiC晶体, 氮掺杂生长的4H-SiC晶体中堆垛层错显著偏多.然而, 在氮掺杂生长的4H-SiC晶体的小面区域, 虽然氮浓度高于其他非小面区域, 但是该小面区域并没有堆垛层错缺陷存在, 推测这主要是由于4H-SiC 晶体小面区域特有的晶体生长习性导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春俊		3	2	1.0	1.0
2	赵宁		1	1	1.0	1.0