基于胶体球掩模板法制备图形化蓝宝石衬底

• 作者: 任利鹏 杨瑞霞 罗春丽 陈春梅 马文静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化蓝宝石衬底(PSS) 湿法腐蚀 聚苯乙烯(PS) 胶体球掩膜 腐蚀速率
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 353-358,374
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.21|TN305.7
• 字数: 4374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.005

摘要

制备并研究了纳米级图形化蓝宝石衬底.采用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积 SiO2薄膜,利用自组装方法在SiO2薄膜上制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,利用感应耦合等离子体干法刻蚀将周期性PS胶体球的图形转移到SiO2薄膜上,通过湿法腐蚀制备了纳米级图形化蓝宝石衬底.利用扫描电子显微镜对胶体球掩膜、SiO2纳米柱掩膜和图形化蓝宝石衬底结构进行了观察,研究了湿法腐蚀蓝宝石衬底的中间产物对刻蚀的影响,分析了腐蚀温度和腐蚀时间对蓝宝石衬底的影响.结果表明,湿法腐蚀的中间产物会降低蓝宝石衬底的刻蚀速率.蓝宝石衬底的腐蚀速率随着腐蚀温度的升高而加快;在同一腐蚀温度下,随着腐蚀时间的增加,图形尺寸进一步减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	180	759	13.0	18.0
2	马文静	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	15	3	1.0	1.0
3	陈春梅	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	4	0	0.0	0.0
4	任利鹏	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	3	2	1.0	1.0