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摘要:
GaAs多功能MMIC应用于微波毫米波整机系统,替代了以往多个单功能MMIC链接而成的方式,且技术愈发成熟.通过对GaAs多功能MMIC产品的失效分析,发现芯片工艺制程中的易发问题,以不断提升产品良率.借助EMMI(红外微光显微镜)技术,对一款GaAs多功能芯片某移相态不能恢复的故障现象进行分析,定位了失效点.结合微区结构分析在失效位置找出工艺缺陷,阐述了该缺陷造成芯片失效的过程和机理,并提出工艺制程改进方案.
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文献信息
篇名 基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 GaAs 多功能MMIC 红外微光显微镜 失效分析
年,卷(期) 2018,(11) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 40-43
页数 4页 分类号 TN406|TN432
字数 1265字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林罡 15 107 5.0 10.0
2 郭啸 2 0 0.0 0.0
3 于永洲 3 0 0.0 0.0
4 贾洁 3 3 1.0 1.0
5 周舟 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaAs
多功能MMIC
红外微光显微镜
失效分析
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电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
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