载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响

• 作者: 朱邵歆 李晋闽 杨杰 王军喜 闫建昌
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 发光二极管(LED) 可见光通信 调制带宽 载流子寿命 复合机制
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 202-207
• 页数: 6页
• 分类号: O47
• 字数: 1862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183902.0202

摘要

通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响.结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高.In组分为1％的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5％时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	75	652	13.0	23.0
2	杨杰	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	132	1562	16.0	36.0
6	王军喜	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	32	155	8.0	10.0
7	朱邵歆	中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所	1	0	0.0	0.0
8	闫建昌	中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心	8	28	2.0	5.0