温度对InP激光器波长蓝移影响的分析

• 作者: 王凌华 苏辉 薛正群
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInAs多量子阱激光器 高温失效 热阻 波长蓝移 发散角
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 7-12
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4|O433.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20184701.0125002

摘要

对AlGaInAs多量子阱FPTO-56半导体激光器在不同环境温度、相同发热量下测量出光波长的变化来分析器件波长温度变化系数;并对器件在室温、不同发热功率下的出光波长变化进行测量,分析计算得到器件热阻为183K/W.接着对器件进行不同高温应力试验,结果显示:环境温度从120℃增加至220℃时,器件峰值波长发生缓慢蓝移;当环境温度达到225℃时,器件波长发生明显蓝移,从试验前1297nm蓝移至1265nm;温度继续增加至235℃,波长蓝移至1258nm,同时光谱模式间隔从试验前0.92nm降低至0.84nm,即模式有效折射率从3.66增加至3.77;温度继续增加至240℃,器件失效无光.其主要原因可能为:高温应力下,激光器外延材料中波导层、量子阱量子垒中的Al、Ga、In金属元素往有源区方向迁移使得量子阱有效禁带宽度以及有源区波导折射率增大.该试验结果为进一步分析器件高温下器件的失效机理以及改善器件高温性能提供试验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏辉	中国科学院福建物质结构研究所	9	36	3.0	6.0
2	王凌华	中国科学院福建物质结构研究所	4	10	2.0	3.0
3	薛正群	中国科学院福建物质结构研究所	4	10	2.0	3.0