LDMOS器件ESD保护能力的一种优化结构

• 作者: 苏庆 苗彬彬
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 高压LDMOS 静电保护 器件优化
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN405|TN43
• 字数: 2269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.08.011

摘要

目前,高压工艺技术已经变得越来越成熟,其应用领域也越来越广泛.但是其ESD保护技术却一直受到狭窄的设计窗口,可靠性等问题困扰.如何在现有高压工艺平台上,设计出满足要求的保护器件一直是高压工艺的难题.从开发的难易度考虑,LDMOS是被广泛采用的器件.通过对利用LDMOS的寄生特性应用于ESD保护的机理进行分析,并指出其设计的难点和原因,针对性地提出优化方法,并以实例验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗彬彬		2	0	0.0	0.0
2	苏庆		2	0	0.0	0.0