基于248nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT

• 作者: 林罡 王溯源 章军云 黄念宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 248 nm DUV光刻机 烘胶工艺 GaAs pHEMT Ka波段 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-39,47
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2712字
• 语种: 中文

摘要

报道了一种0.15 μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案.利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证.微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5 mW.和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄念宁		13	32	4.0	5.0
2	林罡		15	107	5.0	10.0
3	章军云		4	4	1.0	2.0
4	王溯源		2	1	1.0	1.0