基于标准CMOS工艺的非接触式保护环单光子雪崩二极管

• 作者: 吴佳骏 朱帅宇 毛陆虹 谢生
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电器件 单光子雪崩二极管 CMOS工艺 深n阱 保护环 响应度 光子探测效率
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN364
• 字数: 3131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20184701.0125001

摘要

基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电气自动化与信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	谢生	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	68	232	7.0	11.0
3	朱帅宇	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	2	6	2.0	2.0
4	吴佳骏	天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室	1	4	1.0	1.0