集成电路氧化层失效定位技术研究

• 作者: 刘丽媛 李洁森 杨妙林 陈选龙 黄文锋
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 氧化层缺陷 失效分析 光发射显微镜 光致电阻变化
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 产品与可靠性
• 页码范围: 560-564
• 页数: 5页
• 分类号: TN306|TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170442

摘要

介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术.采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变化点.结合电路故障假设法和版图分析,对氧化层失效位置进行定位.最终,采用制样和物理分析方法,找到失效原因.案例分析表明,该方法精确、快速,可应用于CMOS集成电路的栅氧化层、双极集成电路的MOS电容氧化层、GaAs集成电路的MIM电容的失效定位,减少了后续FIB或RIE等物理分析方法的工作量,提高了失效分析的成功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈选龙		8	31	4.0	5.0
4	刘丽媛		9	36	4.0	5.0
12	杨妙林		1	4	1.0	1.0
16	李洁森		1	4	1.0	1.0