二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究

• 作者: 姚群芳 蔡佳 龚士静
• 来源期刊: 华东师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维过渡金属硫化物 Rashba自旋轨道耦合 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子学
• 页码范围: 101-108
• 页数: 8页
• 分类号: O411.3
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5641.2018.02.010

摘要

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用:X原子序数越大,电场诱导的Rashba劈裂也越大;阳离子M被阴离子X覆盖,对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此,6种MX2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为:WTe2 ＞MoTe2＞WSe2 ＞MoSe2 ＞WS2 ＞MoS2.施加电场后,从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K＇点,自旋方向二维平面内转向垂直方向,并且随着电场的增加,面内自旋成分逐渐增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚士静	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	4	10	2.0	3.0
2	姚群芳	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	蔡佳	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0