InAs/GaSb二类超晶格中长波双色红外焦平面器件研究

• 作者: 丁颜颜 刘斌 周文洪 张舟 李云涛 杨煜 汪良衡 雷华伟
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb 二类超晶格 中长波双色 焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 863-867
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 2796字
• 语种: 中文

摘要

采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效质量使得隧穿电流进一步降低,因此超晶格材料成为国内外红外领域研究关注的重点.本文介绍的超晶格中长波双色探测器采用npn背靠背结构,阵列规模为320×256,像元中心距为30 μtm.其中测得80K温度下,-O.1V偏压工作时中波50％截止波长为4.5 μm,O.17V偏压工作时长波50％截止波长为10.5 μm,对应的峰值量子效率为45％、33％,相应的暗电流密度为5.94×10-7 A/cm2@-0.1 V、1.72×10-4 A/cm2@0.17V,NETD为16.6mK、15.6mK.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周文洪		4	4	2.0	2.0
2	刘斌		4	4	2.0	2.0
3	汪良衡		2	2	1.0	1.0
4	李云涛		2	2	1.0	1.0
5	雷华伟		2	2	1.0	1.0
6	杨煜		2	2	1.0	1.0
7	丁颜颜		2	2	1.0	1.0
8	张舟		2	2	1.0	1.0