大范围ReS2纳米带的化学气相沉积制备及特性表征

• 作者: 南海燕 史丽弘 康培培 张秀梅 肖少庆 顾晓峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ReS2 CVD 大面积
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 1899-1903
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.09.024

摘要

采用化学气相沉积方法,在整个SiO2(300 nm)/Si衬底上制备出了大面积、高质量的单层及多层ReS2纳米带,纳米带的长度可达150μm.利用光镜、原子力显微镜(AFM)、荧光(PL),拉曼(Raman)以及X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对所得不同层数的ReS2样品进行了表征.结果表明:所制备的ReS2纳米带的拉曼信号与化学气相沉积方法制备的(CVD)单层及多层的薄膜材料差别不大,而其荧光峰出现了明显的展宽,且峰位出现了明显的蓝移.化学气相沉积法(CVD)制备ReS2纳米带操作简单,可控性与可重复性高,对其基础研究和未来潜在应用有着比较重要的现实意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学电子工程系	115	265	9.0	11.0
2	史丽弘	江南大学理学院光电信息科学与工程系	4	0	0.0	0.0