P型Cz-Si太阳能电池光致再生技术

• 作者: 李小玄 王宝磊 豆维江 郑新霞
• 来源期刊: 工业技术创新
• 学科: 工学
• 关键词: P型Cz-Si太阳电池 光致衰减 光致再生 BO复合体 少子寿命
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 共性技术
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14103/j.issn.2095-8412.2018.01.001

摘要

对P型Cz-Si太阳能电池进行光致再生(LIR)测试,探寻抑制光致衰减(LID)效应的解决方案.选取A、B组电池样品各4片,在230℃下,A组分别采用[1,10,20,30]kW/m2的光照功率进行10 s的LIR处理、B组采用20 kW/m2的光照功率分别进行[10,20,30,40]s的LIR处理;A、B组均在2 kW/m2光照功率、85℃温度下进行10 H的LID测试,考察LIR后和LID后的电池转换效率相对变化值.随着光照功率的增大,LIR后的相对变化值由0.148％提升至0.792％,LID后的相对变化值由-2.608％改善至-0.396％,效果显著;随着光照时间的推移,LIR后的相对变化值由0.695％提升至0.939％,LID后的相对变化值由-0.794％改善至-0.395％,不甚显著.对现象成因进行讨论,表明高光照功率激发了电池硅基体内部的H+、H0和H-,其中H0和H-存在的电子能够分别对硅基体内部和表面进行钝化,提升其少子寿命;H+能够与B-结合成BH复合体,阻碍BO复合体的生成,从而抑制电池的LID效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李小玄		4	1	1.0	1.0
2	豆维江		5	17	2.0	4.0
3	王宝磊		4	2	1.0	1.0
4	郑新霞		1	0	0.0	0.0