PCI结构TFT-LCD产品竖Mura不良机理分析及改善研究

• 作者: 张绪 方业周 李凯 李峰 武新国 王凤国 田亮 郭志轩
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 液晶显示器 PCI结构 竖Mura 亮度均一
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 397-404
• 页数: 8页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183305.0397

摘要

针对像素电极与公共电极换位(P-ITO and C-ITO Interchanged,PCI)结构薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)产品中出现的一种竖Mura,结合生产工艺的实际情况,本文运用关键尺寸(Critical Dimension,CD)、EPM(Electrical Properties Measurement)、SEM(Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)等检测设备,进行了大量的实验测试 、数据处理和理论分析工作.通过测量Cell Gap、膜厚 、CD、Overlay等特性参数,进行产品设计对比 、光效模拟和Lens恶化实验,发现该不良与PCI结构的特殊性有关.其产生的根本原因是不良区域内两层ITO之间左右非交叠区域CD差异造成电场分布异常导致液晶偏转角度异常,最终导致屏幕亮暗不均.通过改变ITO对位方式提高两层ITO之间左右非交叠区域的均一性,有效地降低了不良的发生率(从26％ 下降到0.1％ 以内).