有机分子PTCDA在P型Si单晶(100)晶面的生长机理

• 作者: 张旭 张杰 张福甲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机半导体材料PTCDA P-Si(100)晶面 生长机理
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 790-794
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183906.0790

摘要

对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构.在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100).利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相.利用XPS对样品测试得出,在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合,其结合能为532.4 eV;苝核基团外围的8个C、H原子以共价键结合,其结合能为289.0 eV;在界面处,悬挂键上的Si原子与PTCDA酸酐中的C、O原子结合,形成C—Si—O键及C—Si键,构成了界面层的稳定结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
2	张杰	兰州大学物理科学与技术学院	30	86	5.0	8.0
3	张旭	兰州文理学院电子信息工程学院	3	4	1.0	1.0