深槽对0.35μm CMOS管抗闩锁性能的影响研究

• 作者: 冯霞 张霞
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 闩锁 深槽 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 529-532
• 页数: 4页
• 分类号: TN322+8|TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180022

摘要

相比于P+衬底CMOS工艺,P-衬底0.35 μm BiCMOS工艺中CMOS管的抗闩锁性能更差.为了提高CMOS管的抗闩锁性能,利用光触发方式,基于Medici器件,仿真研究了BiCMOS工艺中深槽对CMOS管闩锁性能的影响.结果表明,深槽可以提高CMOS管的抗闩锁性能.在光触发脉冲宽度为50 ns,深槽深度为3、5、7μm时,深槽BiCMOS工艺中CMOS管的闩锁触发电流分别是无深槽BiCMOS工艺中CMOS管的3.13,6.88,11.12倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯霞		2	1	1.0	1.0
2	张霞	中国电子科技集团公司第二十四研究所	2	7	1.0	2.0