国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

• 作者: 于新 刘默寒 姚帅 孙静 李小龙 王信 郭旗 陆妩 魏昕宇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(ELDRS) 辐射损伤 剂量率
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 369-374
• 页数: 6页
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.008

摘要

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律.实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad (Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和.相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间.两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著.并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨.