p-well/DNW单光子雪崩二极管保护环的最小化设计

• 作者: 杨红姣 金湘亮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子雪崩二极管(SPAD) 保护环 边缘击穿(PEB) 暗计数率(DCR) 光子探测概率(PDP)
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 527-532
• 页数: 6页
• 分类号: TN313
• 字数: 578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.05.004

摘要

为了进一步缩小SPAD探测器的尺寸,基于0.18 μm CMOS图像传感器(CIS)工艺对p-well/DNW(deep n-well) SPAD的保护环尺寸进行设计,并制造了不同保护环尺寸的SPAD器件.测试结果表明,保护环尺寸减小到0.4 μm仍然能有效防止器件发生过早边缘击穿(PEB),且保护环尺寸对p-well/DNW SPAD器件的暗计数率(DCR)和光子探测概率(PDP)影响较小.直径为20 μm的SPAD器件,温度为25℃时暗计数率为638 Hz,且波长为530 nm时峰值光子探测概率为16％,具有低的暗计数率特性和宽的光谱响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金湘亮	湘潭大学物理与光电工程学院	50	124	6.0	8.0
5	杨红姣	湘潭大学物理与光电工程学院	9	39	4.0	6.0