势垒硅掺杂对GaN基LED极化电场及其光电性能的影响

• 作者: 张正宜 王超
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 势垒 量子阱 极化电场 光电性能
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1445-1450
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.8
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183910.1445

摘要

势垒硅掺杂对InGaN量子阱中的电场及LED器件的光电性能有着重要的影响.采用6×6 K·P方法计算了不同势垒硅掺杂浓度对量子阱中电场的变化,研究表明当势垒硅掺杂浓度>1e18 cm-3时,阱垒界面处的电场强度会变大,这主要是由于硅掺杂浓度过高导致量子阱中界面电荷的聚集.进一步发现随着势垒掺杂浓度的升高,总非辐射复合随之增加,其中俄歇复合增加,而肖克莱-霍尔-里德复合随之减少,这是由于点陷阱的增大形成了缺陷能级.电流电压曲线表明势垒掺杂可有效改善GaN基LED的工作电压,这归于掺杂浓度的提高改善了载流子的传输特性.当掺杂浓度为1e18 cm-3时,获得了较高的内量子效率,这主要是由于适当的势垒掺杂降低了量子阱中界面电荷的损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王超	兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室	14	83	4.0	9.0
2	张正宜	山西交通职业技术学院信息工程系	11	2	1.0	1.0