P或Al掺杂SiC纳米管的电子结构与光学性质

• 作者: 张云光 徐建刚 李桂霞 王雯玉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 碳化硅纳米管 电子结构 光学性质 掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 98-104,115
• 页数: 8页
• 分类号: TB383|O481.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.02.004

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似下,对本征单壁锯齿型(6,0)碳化硅纳米管、P或Al掺杂碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了优化计算.计算结果表明:单壁锯齿型(6,0)碳化硅纳米管为间接带隙半导体,禁带宽度为2.621 eV,价带顶主要由C-2p态电子和Si-3p态电子组成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定,且本征碳化硅纳米管的能带间隙和电子性能主要由外层p电子决定.当掺杂P或Al的原子数分数为2.083％时,单壁锯齿型碳化硅纳米管的导带和价带下移,价电子活跃程度提高,导电性能增强,P掺杂或Al掺杂碳化硅纳米管呈现出导体特性.同时静态介电常数增大,在远紫外光波段表现出良好的吸收特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐建刚	西安邮电大学理学院	27	58	5.0	5.0
2	张云光	西安邮电大学理学院	14	16	2.0	3.0
3	王雯玉	西安邮电大学理学院	1	0	0.0	0.0
4	李桂霞	中国石油大学理学院	3	2	1.0	1.0