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基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现
基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现
作者:
王子青
赵子润
龚剑
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
数模转换器(DAC)
R-2R电阻梯
InP双异质结双极晶体管(DHBT)
电流舵
主从D触发器
摘要:
基于InP双异质结双极晶体管(DHBT)工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器(DAC)芯片,该InP工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz.DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样.该DAC最终尺寸为4.5 mmX3.5 mm,功耗为3.5W.实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为+0.4/-0.24 LSB,积分非线性为+0.61/-0.64 LSB.
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文献信息
篇名
基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
数模转换器(DAC)
R-2R电阻梯
InP双异质结双极晶体管(DHBT)
电流舵
主从D触发器
年,卷(期)
2018,(8)
所属期刊栏目
半导体集成电路
研究方向
页码范围
579-583,638
页数
6页
分类号
TN304.23|TN792
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.08.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
赵子润
中国电子科技集团公司第十三研究所
7
7
1.0
2.0
2
王子青
中国电子科技集团公司第十三研究所
2
0
0.0
0.0
3
龚剑
中国电子科技集团公司第十三研究所
1
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研究主题发展历程
节点文献
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R-2R电阻梯
InP双异质结双极晶体管(DHBT)
电流舵
主从D触发器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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