基于SOI衬底和外延衬底的高速光电探测器研究

• 作者: 丰亚洁 何晓颖 刘巧莉 李冲 王华强 郭霞
• 来源期刊: 光通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 SOI/EPI衬底 互补金属氧化物工艺 小信号带宽 响应度
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 光器件
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 1763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2018.08.010

摘要

高速硅基光电探测器价格低廉且易于和光接收机集成,在短距离光通信中被广泛应用.对基于绝缘硅(SOI)和外延(EPI)两种不同衬底的互补金属氧化物(CMOS)工艺的光电探测器进行了理论模拟和实验研究,理论模拟和实验规律一致.实验表明,研制的基于SOI衬底的光电探测器的小信号带宽最高为205MHz,响应度为0.051A/W;基于EPI衬底的光电探测器在相同条件下最高带宽为131MHz,响应度为0.21A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华强	北京工业大学信息学部	4	42	2.0	4.0
2	李冲	北京工业大学信息学部	5	7	2.0	2.0
3	刘巧莉	北京工业大学信息学部	4	5	2.0	2.0
4	丰亚洁	北京工业大学信息学部	2	0	0.0	0.0
5	何晓颖	北京邮电大学电子工程学院信息光子学与光通信国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	郭霞	北京邮电大学电子工程学院信息光子学与光通信国家重点实验室	4	3	1.0	1.0