GaAs基霍尔传感器的研究进展

• 作者: 彭挺 董健方 金立川 钟智勇 高能武
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 霍尔传感器 砷化镓(GaAs) 异质结 磁场传感器 电压偏移消除技术
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 561-571,590
• 页数: 12页
• 分类号: TN304.23|TP212.41
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.08.001

摘要

霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统.与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性.概述了GaAs材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的GaAs基霍尔传感器和异质结构的GaAs基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对GaAs基霍尔传感器的发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟智勇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	359	10.0	15.0
2	金立川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	26	4.0	5.0
3	董健方	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	彭挺		1	1	1.0	1.0
5	高能武		1	1	1.0	1.0