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摘要:
Ⅲ-Ⅴ 族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料.本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程.重点总结了SCD关于InAsSb nBn中波高温探测器和InAs/GaSb二类超晶格pBp长波探测器中的研发.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 SCD公司 Ⅲ-Ⅴ红外探测器 二类超晶格 InAsSb中波高温探测器 pBp长波探测器
年,卷(期) 2018,(10) 所属期刊栏目 综述与评论
研究方向 页码范围 936-945
页数 10页 分类号 TN215
字数 5509字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨玉林 6 13 2.0 3.0
2 李艳辉 14 24 3.0 4.0
3 杨春章 8 12 2.0 3.0
4 李东升 27 43 3.0 4.0
5 覃钢 8 9 2.0 2.0
6 周旭昌 8 18 2.0 3.0
7 李俊斌 1 2 1.0 1.0
8 常超 1 2 1.0 1.0
9 杨晋 2 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2019(1)
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2020(1)
  • 引证文献(1)
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研究主题发展历程
节点文献
SCD公司
Ⅲ-Ⅴ红外探测器
二类超晶格
InAsSb中波高温探测器
pBp长波探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
论文1v1指导