碳化硅功率模块封装技术进展

• 作者: 张兆强 曹峻
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 碳化硅 模块 封装技术
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN405
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.08.006

摘要

近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注.与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈.从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹峻		2	7	1.0	2.0
2	张兆强	复旦大学材料科学系	4	35	1.0	4.0