金纳米结构表面二次电子发射特性

• 作者: 叶鸣 崔万照 王丹 贺永宁
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 纳米结构 电子发射 能量分布 背散射电子
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 236-246
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180079

摘要

使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价?.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹	西安交通大学微电子学院	59	285	6.0	16.0
2	贺永宁	西安交通大学微电子学院	58	265	9.0	12.0
3	叶鸣	西安交通大学微电子学院	22	99	6.0	9.0