电感耦合等离子体原子发射光谱法测定高含量碳化硅表面6种杂质成分

• 作者: 卞大勇
• 来源期刊: 冶金分析
• 关键词: 电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES) 高含量碳化硅 铁 铝 钙 镁 氧化钾 氧化钠
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 72-77
• 页数: 6页
• 字数: 4497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.010286

摘要

碳化硅是应用最广泛、最经济的一种耐火原料,由于碳化硅贸易活跃,需要对表面杂质成分进行快速、准确的测定.样品采用氢氟酸、硝酸溶解,高氯酸冒烟至近干,再使用盐酸溶解可溶性盐类,通过过滤使得被测成分与碳化硅分离,选择Fe 259.939 nm、Al 394.401 nm、Ca 317.933 nm、M g 285.213 nm、K 766.490 nm、Na 589.592 nm为分析谱线,使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠,从而建立了使用 ICP-A ES测定高含量碳化硅表面铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠等杂质成分的方法.铁在0.020% ~0.50%,铝、钙在0.020% ~0.20%,镁、氧化钾、氧化钠在0.0020% ~0.020% 范围内校准曲线呈线性,线性相关系数均不小于0.9998.方法检出限为0.000042% ~0.00064%(质量分数).实验方法用于测定碳化硅样品表面铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠,结果的相对标准偏差(RSD,n=10)为1.9% ~9.5%.按照实验方法测定碳化硅样品表面铁、铝、钙、镁、氧化钾、氧化钠,测定值与国家标准方法的测定结果相吻合.

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1	卞大勇		2	0	0.0	0.0