SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂特性研究

• 作者: 史月增 张丽 徐世海 金雷 齐海涛
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: AlN单晶 断裂面 解理 裂纹 应力
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 772-775
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2018.05.028

摘要

通过扫描电镜(SEM)观察了SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂面形貌.模拟了SiC籽晶与AlN晶体之间的应力分布.通过计算不同晶面的面间距,确定了六方晶系的AlN晶体中m面为解理面.拉曼光谱仪对不同晶面的特性进行了表征.结果表明,断裂面为m面,即裂纹扩展并沿m面解理形成断裂面.切割面为c面,AlN沿垂直于c方向生长.拉曼光谱中波数为656.2cm-1的(E2(high)声子模为AlN单晶中的特征拉曼峰)声子模式的半高宽为6.5cm-1,晶体质量高.残余的张应力是裂纹产生的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
2	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
3	史月增	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	16	3.0	3.0
4	徐世海	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	5	1.0	1.0
5	金雷	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	13	2.0	2.0