基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制

• 作者: 李向阳 许金通 邢怀昌
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 雪崩光电二极管 盖革模式 紫外 死时间 暗计数
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 系统与设计
• 页码范围: 966-971
• 页数: 6页
• 分类号: TN219
• 字数: 2393字
• 语种: 中文

摘要

本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能,为紫外通信提供数据参考.研制了适用于硅雪崩光电二极管(APD)的主动、被动两种盖革模式电路,设计并实现了输出可调至300.0 V的高稳定直流高压偏置电源,实测纹波电压小于20.4mV,纹波系数小于6.8×10-5.分别在可见盲和日盲两种紫外光照下,测试了被动盖革模式APD的死时间、暗计数和光子计数,给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围;紫外光照下,被动盖革模式APD的电路输出脉冲的死时间为1.0μs.基于被动盖革模式电路测试的参数,研制了主动盖革模式电路,实验结果表明:主动盖革模式电路输出脉冲的死时间为102.0 ns,光子计数的上限由被动盖革模式的1.0 MHz提高到主动盖革模式的9.8 MHz.因此主动盖革模式电路在数据传输时有更高的传输带宽,预计可满足一些图像传输或者视频通信的基本要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
5	许金通	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	21	40	4.0	5.0
9	邢怀昌	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0