B、N共掺杂单层石墨烯电子结构和导电性能

• 作者: 任福成 刘世斌 张鼎 徐守冬 陈良
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 密度泛函理论 石墨烯 共掺杂 电子结构 导电性
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程·化学与化学工程
• 页码范围: 525-532
• 页数: 8页
• 分类号: O481.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2018.04.002

摘要

利用密度泛函理论研究方法对B、N原子以邻、间、对位等3种不同的相对位置以相同的比例(12.5％)共掺杂单层石墨烯的电子结构进行研究,分别计算共掺杂结构的能带结构、态密度、电荷密度和电荷差分密度等.结果表明:B、N原子共掺杂石墨烯的价带和导带之间出现直接带隙,而且价带电子轨道和导带空轨道分布更靠近费米能级,共掺杂石墨烯可同时作为电子的供体和受体,间位共掺杂结构的带隙值最小(1.296 eV).在共掺杂结构的电荷重新分布过程中,B、C和N间的互相杂化和电荷的转移主要发生在各原子的2p轨道,其中B-C原子杂化轨道分布更靠近费米能级,C-N原子杂化轨道能分布在较低的能量区间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘世斌	太原理工大学洁净化工研究所	123	602	13.0	18.0
2	徐守冬	太原理工大学洁净化工研究所	8	10	2.0	3.0
3	张鼎	太原理工大学洁净化工研究所	13	24	3.0	4.0
4	陈良	太原理工大学洁净化工研究所	8	11	2.0	3.0
5	任福成	太原理工大学洁净化工研究所	1	5	1.0	1.0