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摘要:
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响.通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓度为2.5%,pH值为10.64.在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171 nm.该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568 nm,从而达到双面共用的效果.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 CMP CdS晶片 Cd面 抛光液 表面粗糙度
年,卷(期) 2018,(10) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 931-935
页数 5页 分类号 TN305.2
字数 2736字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐永宽 中国电子科技集团公司第四十六研究所 28 57 4.0 6.0
2 高飞 中国电子科技集团公司第四十六研究所 13 17 3.0 4.0
3 李晖 中国电子科技集团公司第四十六研究所 13 18 3.0 3.0
4 徐世海 中国电子科技集团公司第四十六研究所 5 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMP
CdS晶片
Cd面
抛光液
表面粗糙度
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期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
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