CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究

• 作者: 徐世海 徐永宽 李晖 高飞
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMP CdS晶片 Cd面 抛光液 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 931-935
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2736字
• 语种: 中文

摘要

研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响.通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20％,氧化剂NaClO的浓度为2.5％,pH值为10.64.在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171 nm.该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568 nm,从而达到双面共用的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
2	高飞	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	4.0
3	李晖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	18	3.0	3.0
4	徐世海	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	5	1.0	1.0