不同厚度和退火温度下AZO/ZnO结构的薄膜稳定性

• 作者: 刘向鑫 杜忠明
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 AZO/ZnO 电阻率 退火
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1563-1566
• 页数: 4页
• 分类号: TM912
• 字数: 4334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2018.10.043

摘要

利用射频磁控溅射法在7059玻璃上生长不同厚度的AZO薄膜,并在不同厚度的薄膜上再利用射频磁控溅射沉积一层55 nm的本征ZnO薄膜.利用退火CdTe电池的退火条件退火各种厚度的薄膜时,所有AZO/ZnO结构的薄膜电阻率均只有微小的变化,表现出比单层结构的AZO薄膜更强的电学稳定性.在干空气气氛中400～550℃退火时,710 nm AZO/50 nm ZnO结构的薄膜仍然具有更好的稳定性,退火后电阻率仍然保持得更好.结果表明在制备CdTe电池时采用AZO/ZnO结构方式的透明电极比AZO更有利于电池的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜忠明	中国科学院电工研究所太阳能热利用和光伏系统重点实验室	8	5	1.0	2.0
4	刘向鑫	中国科学院电工研究所太阳能热利用和光伏系统重点实验室	8	13	2.0	3.0