K波段高功率放大器MMIC设计

• 作者: 陆雨茜 陈华康 高博 龚敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 K波段 单片微波集成电路 功率放大器 高功率
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 26-28,35
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1224字
• 语种: 中文

摘要

基于GaAs pHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路.根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2W的K波段GaAs功率放大器.采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真.采用0.25 μm栅长GaAspHEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50 Ω.ADS仿真表明,功率放大器工作在21～24.5 GHz时,该放大器的输出功率大于33 dBm,功率附加效率大于25％,功率增益大于19dB,电路尺寸为2.5 mm×3.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高博	四川大学物理科学与技术学院	92	797	14.0	23.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0
3	陆雨茜	四川大学物理科学与技术学院	2	0	0.0	0.0
4	陈华康	四川大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0