不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究

• 作者: 丁召 刘万松 刘雪飞 周勋 王一 王继红 罗子江 郎啟智 郭祥 魏杰敏
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 密度泛函 弛豫 电子结构 键角
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 5145-5150
• 页数: 6页
• 分类号: TO3|TO47
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.025

摘要

对InxGa1-xAs 在x 从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当 In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合.体系弛豫后,Ga—As 键长变小程度会随 In 组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且 Ga—As—In 键角的变化幅度在 In 组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质.