一种快速瞬态响应无片外电容LDO

• 作者: 姚若河 王超 邝国华
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 无片外电容 线性稳压器 瞬态增强 快速瞬态响应
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 625-629
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170509

摘要

针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性.通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力.基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92～3.60 V、输出电压为1.8V的LDO.结果表明,负载在1μs内从0变化到100 mA时,输出最大下冲电压为37.2 mV,响应时间为1.12 s;负载在1μs内从100mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1 mV,响应时间为1.1μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子与信息学院	126	611	11.0	18.0
2	王超	华南理工大学电子与信息学院	20	200	6.0	14.0
3	邝国华		2	3	1.0	1.0