全SiC三相逆变器传导电磁干扰建模与预测

• 作者: 张栋 段卓琳 温旭辉 范涛
• 来源期刊: 电工电能新技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 三相逆变器 EMI
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 论文报告
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TM46
• 字数: 3163字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12067/ATEEE1611057

摘要

三相逆变器中的开关器件快速开关动作产生高的du/dt、di/dt,在系统寄生参数的作用下产生了电磁干扰(EMI),影响系统的可靠运行.相比较Si器件,SiC器件具有很多优势,在三相逆变器系统中得到了越来越多的应用.但是,SiC器件的开关频率更高,开关速度更快,使得其电磁干扰问题也更严重.本文通过对全SiC三相逆变器传导电磁干扰的干扰源及传播路径进行建模,采用时域仿真加快速傅里叶变换(FFT)的方法预测了电源端口处的传导干扰,在10kHz ～ 30MHz的频段范围内,仿真结果与实测结果基本吻合,验证了所建模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张栋	中国科学院电工研究所	42	316	9.0	16.0
7	范涛	中国科学院电工研究所	26	159	6.0	12.0
16	段卓琳	中国科学院电工研究所	1	10	1.0	1.0