交联PMMA修饰的PVA绝缘层对P3 HT有机场效应晶体管性能的影响

• 作者: 娄志东 张华野 张帆 张猛 滕枫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 界面修饰 交联 有机薄膜场效应晶体管 回滞
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1542-1548
• 页数: 7页
• 分类号: O47
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183911.1542

摘要

利用1,6-二(三氯甲硅烷基)己烷(C6-Si)交联的聚甲基丙烯酸甲酯(C-PMMA)修饰聚乙烯醇(PVA)绝缘层(C-PMMA/PVA),并研究了修饰前后绝缘层的表面性质和电学性能.结果表明:经C-PMMA修饰后,虽然绝缘层表面粗糙度从0.386 nm增加到0.532 nm,电容由14.2 nF/cm2减小到11.5 nF/cm2,但绝缘层的水接触角显著变大,从36°增加到68°,表明修饰后表面极性显著下降;此外,C-PMMA修饰的绝缘层的漏电流密度降低了约2个数量级.用纯PVA和C-PMMA修饰的PVA两种绝缘层制备了具有底栅顶接触结构的3-己基噻吩(P3HT)有机薄膜场效应晶体管,C-PMMA修饰PVA后器件性能显著提高,开关比提高了约20倍,迁移率增大了约4倍,分别达到～102 cm2·V-1·s-1和3.3×10-2 cm2·V-1·s-1,而且回滞现象明显降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	滕枫	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室	33	145	6.0	10.0
2	张帆	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室	39	239	8.0	13.0
3	娄志东	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室	13	71	5.0	8.0
4	张猛	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室	3	13	1.0	3.0
5	张华野	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0