直拉硅单晶生长过程中工艺参数对相变界面形态的影响

• 作者: 冯雪亮 刘丁 张妮
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 晶体生长 固-液相变 浸入边界法 格子Boltzmann法
• 年，卷（期）: 2018,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 366-377
• 页数: 12页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180305

摘要

为改善晶体相变界面形态,提高晶体品质,提出了一种融合浸入边界法(immersed boundary method,IBM)和格子Boltzmann法(lattice Boltzmann method,LBM)的二维轴对称浸入边界热格子Boltzmann模型来研究直拉法硅单晶生长中的相变问题.将相变界面视为浸没边界,用拉格朗日节点显式追踪相变界面;用LBM求解熔体中的流场和温度分布;用有限差分法求解晶体中的温度分布.实现了基于IB-LBM的动边界晶体生长过程研究.得到了不同晶体生长工艺参数作用下的相变界面,并用相变界面位置偏差绝对值的均值和偏差的标准差来衡量界面的平坦度,得到平坦相变界面对应工艺参数的调整方法.研究表明,相变过程与晶体提拉速度、晶体旋转参数和坩埚旋转参数的相互作用有关,合理地配置晶体旋转参数和坩埚旋转参数的比值,能够得到平坦的相变界面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丁	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	196	3213	31.0	45.0
5	张妮	西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心	1	1	1.0	1.0
9	冯雪亮		1	1	1.0	1.0