胡黄连苷Ⅱ对脑缺血再灌注损伤后电压依赖性阴离子通道1表达的影响

• 作者: 李珊 王婷婷 翟丽 蒋家翔 邓文武 郭云良
• 来源期刊: 中华医学杂志
• 关键词: 胡黄连苷Ⅱ 脑缺血再灌注 VDAC1 EndoG 大鼠
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 136-142
• 页数: 7页
• 字数: 6581字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.0376-2491.2018.02.013

摘要

目的 研究胡黄连苷Ⅱ对脑缺血再灌注损伤后线粒体电压依赖性阴离子通道1(VDAC1)表达的影响和意义.方法 应用线栓法建立大鼠大脑中动脉闭塞(MCAO)模型,按随机数字表法将造模成功的70只大鼠分为假手术组、模型组、胡黄连苷组、VDAC1选择性抑制剂钌红组、钙红+胡黄莲苷组、VDAC1选择性激动剂精胺组、精胺+胡黄连苷组,每组10只.改良神经功能缺损评分(mNSS)评价动物神经行为功能;ELISA检测脑组织活性氧(ROS)含量;HE染色观察神经细胞形态;原位末端标记(TUNEL)检测神经细胞凋亡;免疫组化染色和Western印迹检测VDAC1和核酸内切酶(EndoG)表达水平.结果 与假手术组比较,模型组大鼠mNSS评分明显升高[(9.6±1.9)分],ROS含量增加[(47.6 ±2.7)U/ml],皮质区变性细胞(0.79±0.04)和凋亡细胞增加(23.8±2.8),VDAC1 (0.94 ±0.06)和EndoG[胞质(0.76±0.06),胞核(0.75±0.06)]表达均显著增强(P＜0.05).与模型组比较,胡黄连苷组大鼠mNSS评分下降[(5.7±0.9)分],ROS含量降低[(35.6 ±2.2)U/ml],皮质区变性细胞(0.48±0.04)和凋亡细胞减少(14.5±2.1),VDAC1 (0.63 ±0.06)和EndoG[胞质(0.34±0.05),胞核(0.31±0.06)]表达均显著降低(P＜0.05).结论 胡黄连苷Ⅱ可通过下调脑缺血再灌注后VDAC1表达而减少线粒体凋亡蛋白EndoG的释放,发挥神经保护作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭云良	青岛大学附属医院脑血管病研究所	164	1319	19.0	25.0
2	李珊	青岛大学附属医院脑血管病研究所	29	106	5.0	9.0
3	王婷婷	青岛大学附属医院脑血管病研究所	29	106	6.0	9.0
4	翟丽	青岛大学附属医院脑血管病研究所	7	31	3.0	5.0
5	邓文武		5	12	2.0	3.0
6	蒋家翔	青岛大学护理学院	7	49	4.0	7.0