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摘要:
利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管(s-SWCNT)网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料,以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线(Ag NW)网络薄膜作为源、漏电极,在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列,并使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件,得到了整体透明度达到82%以上的器件.提出的器件制备方法不仅制备材料易得,不需要高温过程,而且能够实现器件的大面积制备,对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 全透明低回滞s-SWCNT/Ag NW薄膜晶体管的可控制备
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 半导体型单壁碳纳米管 银纳米线 全透明薄膜晶体管 低回滞
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 675-681
页数 7页 分类号 TN321.5
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.014
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研究主题发展历程
节点文献
半导体型单壁碳纳米管
银纳米线
全透明薄膜晶体管
低回滞
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
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